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Renesas射頻衰減器

發布時間：2022-05-09 16:53:13 瀏覽：891

Renesas單片硅射頻衰減器可提供各種各樣數字或模擬控制。Renesas所有的射頻衰減器具備高帶寬、低插入損耗、高線性、高衰減精確度、低偏差等特性。射頻衰減器的應用包括無線網絡基礎設施（基站和寬帶基礎設施）(CATV)）、微波無線電、通訊衛星和數據終端、通用型通信設備、測試和測量設備。

Renesas率先推出出選用Glitch-Free?數字步進衰減器(DSA)，優化軟件界面、提高安全可靠性、避免毀壞功率放大器等昂貴的子部件，限制數據轉換器輸入超過額定范圍。Renesas的創新型Glitch-Free?技術可以清除發送和/或接收路徑中的衰減設置過沖(毛刺)，可以使最高有效位(MSB)過渡期間瞬時毛刺減少了95%。

另外，Renesas電壓可變衰減器(VVA)為用戶提供模擬控制，以滿足需要更準確的衰減應用程序。這些與類似的競爭解決方案相比較VVA有近半的低插入損耗和高IP3性能指標，在電壓控制范圍內線性衰減(dB)。硅基RF半導體技術，Renesas的衰減器為源于GaA原有的半導體技術提供了強有力的替代方案。硅技術提供了更強的靜電放電(ESD)保護，更好的溫度敏感度等級(MSL)、硅技術長期性驗證的更理想的熱性能指標、更低的電流消耗和安全可靠性。

射頻衰減器的目的是根據系統的需要調節無線電發送器或接收器信號鏈中的信號范圍。通常采用數字衰減器(DSA)或模擬衰減器(VVA)調節衰減值。針對模擬衰減器或數字衰減器的選擇，需要根據應用要求實現權衡。Renesas專業工程師可以幫助用戶選擇最適宜的設備。

深圳市立維創展科技有限公司，優勢代理分銷Renesas產品線，部分系列常備現貨。

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Product ID	Frequency Range (MHz)	Supply Voltage (V)	Lead Count (#)	Input IP3 (dBm)	Gain (dB)	Gain Resolution (dB)	Output Impedance
F1912	1 - 4000	3 - 5.25	20	63	-1.4	0.5	50
F1950	150 - 4000	3 - 5.25	24	65	-1.3	0.25	50
F1951	100 - 4000	3 - 5.25	24	68	-1.2	0.5	50
F1953	400 - 4000	2.7 - 3.3	20	63	-1.4	0.5	50
F1956	1 - 6000	3 - 5.25	32	64	-1.3	0.25	50
F1958	1 - 6000	3 - 5.5	24	63	-1.3	0.25	50
F1975	5 - 3000	3 - 5.25	20	64	-1.2	0.5	75
F1977	5 - 3000	3 - 5.25	32	64	-1.4	0.25	75
F1978	5 - 3000	3 - 5.25	20	64	-1.2	0.5	75
F2250	50 - 6000	3.15 - 5.25	16	65	-1.4		50
F2251	50 - 6000	3.15 - 5.25	16	67	-1.4		50
F2255	1 - 3000	3.15 - 5.25	16	60	-1.1		50
F2258	50 - 6000	3.15 - 5.25	16	65	-1.4		50
F2270	5 - 3000	3.15 - 5.25	16	62	-1.1		75

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