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IRLML6401TRPBF：12V單通道P溝道功率MOSFET

發(fā)布時間：2024-11-08 09:15:26 瀏覽：294

IRLML6401TRPBF：12V單通道P溝道功率MOSFET

　　IRLML6401TRPBF是由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET，采用微型3(SOT-23)封裝，是專為低功耗和低頻率應用設計的高效能半導體器件。以下是該產(chǎn)品的詳細特點和優(yōu)勢：

　　產(chǎn)品特點：

　　平面單元結構：提供寬廣的安全工作區(qū)域(SOA)，增強了器件的可靠性和耐用性。

　　廣泛可用性：針對分銷合作伙伴優(yōu)化，確保了產(chǎn)品的可獲得性。

　　JEDEC標準認證：按照電子行業(yè)標準進行產(chǎn)品認證，保證了產(chǎn)品的質量和一致性。

　　硅片優(yōu)化：特別優(yōu)化用于低于100kHz的開關應用，確保了在低頻條件下的高性能。

　　行業(yè)標準封裝：采用行業(yè)標準的表面貼裝封裝，便于自動化裝配和設計替換。

　　產(chǎn)品優(yōu)勢：

　　增強的魯棒性：設計上注重提高器件的耐用性和可靠性。

　　廣泛的分銷網(wǎng)絡：確保了產(chǎn)品的廣泛可獲得性。

　　行業(yè)標準的認證：提供了符合行業(yè)標準的認證水平。

　　低頻應用中的高性能：在低頻開關應用中表現(xiàn)出色。

　　直接替換能力：標準的引腳排列允許直接替換其他兼容器件。

　　潛在應用：

　　DC開關：適用于直流電路中的開關控制。

　　負載開關：用于控制電氣負載的開啟和關閉。

　　技術規(guī)格：

　　最大漏極電流(@25°C)：-4.3 A

　　潮濕敏感度等級：1級

　　安裝類型：表面貼裝(SMD)

　　最大功耗(@TA=25°C)：1.3 W

　　封裝類型：SOT-23

　　極性：P溝道

　　門極電荷(@4.5V)：典型值10 nC

　　門極-漏極電荷：2.6 nC

　　導通電阻(@4.5V)：最大50 mΩ

　　熱阻(JA)：最大100 K/W

　　特色功能：小功率

　　最大結溫：150°C

　　最大漏源電壓：-12 V

　　門源電壓閾值：最小-0.55 V，最大-0.95 V至-0.4 V

　　門極電壓：最大8 V

　　IRLML6401TRPBF以其高性能、可靠性和易于集成的特點，非常適合用于各種低功耗和低頻率的開關應用，如電源管理、電機控制和電池供電設備。深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線，快速交付，歡迎聯(lián)系。

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